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MK米客方德SD NAND参考设计
MK米客方德SD NAND参考设计
一、电路设计参考电路:R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻,当SD NAND处于高阻抗模式时,保护CMD和DAT线免受总线浮动。即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式,主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。R6(
MK米客方德SD NAND参考设计
admin
1月前
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