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三极管与场效应管都是常用的 半导体器件，不同之处在于：
（晶体）三极管BJT是一种电流控制元件，在放大工作时由于发射结需要正向偏置，故而在结构上导致其输入电阻较低
场效应管FET是电压控制元件，其利用输入回路的电场效应来控制输入电流，故而其输入阻抗较高。

由于场效应管仅仅依靠一种极性的载流子导电，（又称为单极型晶体管），故而还具有热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强的特点

场效应管俺结构可分为两大类，绝缘栅场效晶体管insulated gate FET，IGFET和结型场效应管junction FET，JFET。我们在下文中介绍绝缘栅场效应管。

由于IGFET包括金属电极、二氧化硅绝缘层与半导体材料。故而又称为“金属-氧化物-半导体场效应管”，即MOS FET。
MOSFET有增强型和耗尽型两种，又有不同的载流子极性分为N沟道与P沟道。

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